山东大学所持一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法等5项专利转让
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| 项目名称 | 山东大学所持一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法等5项专利转让 | 项目编号 | TACE2470892 |
| 转让底价 | 400 万元 | 转让方 | 山东大学 |
| 保证金 | 0万元 | 保证金支付方式 | 银行转账 |
| 挂牌时间 | 2024-10-25 至 2024-11-07 | ||
一、项目介绍
技术项目信息登记表（供给方）
| 技术项目名称 | 山东大学所持一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法等5项专利转让 | ||
| 行业分类 | 电子信息技术|微电子/光电子技术 | ||
| 战略性新兴产业分类 | 新一代信息技术产业|电子核心产业|新型元器件 | ||
| 权属人所属地域 | 山东省济南市历城区 | ||
| 十强产业领域 | 新一代信息技术 | ||
| 项目权属（个人或单位名称） | 山东大学 | ||
| 专利情况 | 有 | ||
| 转让底价 | 400 万元 | ||
| 合作方式 | 成果转让 | ||
| 项目简介 | 1、转让标的整体受让，不可拆分。 2、本标的包含5项专利，各专利介绍如下： 一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法 专利申请日：2024年05月13日 授权公告日：2024年08月06日 专利权期限：20年 介绍： 本发明公开了一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法,其涉及器件设计技术领域。包括:4H SiC衬底层的上表面沉积所述N型SiC外延层,所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积P型SiC外延层;所述P型SiC外延层包括:SiO 一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管及其制备方法 专利申请日：2024年01月23日 授权公告日：2024年09月17日 专利权期限：20年 介绍：本发明属于微电子技术领域,具体涉及一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管及其制备方法。高击穿电压碳化硅肖特基二极管包括由下至上依次设置的第一金属Ni电极、SiC衬底、n<supgt;+</supgt; SiC缓冲层、n SiC层和p GaN帽层,所述p GaN帽层贯穿设有凹槽,所述凹槽的下部位于所述n SiC层,所述凹槽内设置与所述n SiC层顶部和所述p GaN帽层顶部相接的金属Ti电极,所述金属Ti电极上设置第二金属Ni电极,所述n SiC层、p GaN帽层、金属Ti电极和第二金属Ni电极的顶部设置具有开孔的SiO<subgt;2</subgt;钝化层。本发明使用p型掺杂GaN与n SiC形成异质结,无需增厚n SiC即可提高碳化硅肖特基二极管的击穿电压,并具有高可靠性和低成本的优势。 一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利申请日：2024年05月20日 授权公告日：2024年08月20日 专利权期限：20年 介绍：本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法,其涉及功率器件设计技术领域。包括:4H SiC衬底层的上方依次沉积N型SiC外延层和P型SiC外延层;所述N型SiC外延层具有漂移层和缓冲层,且所述漂移层沉积于所述缓冲层的上方,所述漂移层上表面的一侧为N级台阶结构;所述P型SiC外延层包括P型梯形岛和SiO<subgt;2</subgt;保护层,所述P型梯形岛沉积于所述SiO<subgt;2</subgt;保护层内,且所述SiO<subgt;2</subgt;保护层与所述N级台阶结构耦合;所述漂移层上表面的另一侧沉积阳极,所述P型梯形岛与所述阳极连接;所述4H SiC衬底层的下方沉积阴极。本发明优化了P型梯形岛两侧附近的强电场分布情况,提升碳化硅肖特基二极管反向工作的稳定性。 一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法 专利申请日：2024年05月10日 授权公告日：2024年08月06日 专利权期限：20年 介绍：本发明公开了一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法,其涉及器件设计技术领域。包括:所述4H SiC衬底层的上表面沉积所述N型SiC外延层,所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积P型SiC外延层;所述P型SiC外延层包括:SiO 一种碳化硅平面栅功率MOSFET及制作方法 专利申请日：2024年07月22日 授权公告日：2024年09月27日 专利权期限：20年 介绍：本发明提供一种碳化硅平面栅功率MOSFET及制作方法,属于功率半导体技术领域,该器件拥有p+区域与n+区域不同的金属形成的欧姆接触,使用间隔物薄介质层实现n+源区的沟道自对准,保证了器件的可靠性,并减小沟道区域的电阻,进而减小器件整体的比导通电阻。该工艺过程中首先进行p+区域的离子注入,使用金属层阻挡之后的n+区域氮离子注入p+区域,该金属层最终随着碳化硅晶圆注入后的热退火,同时在p+区域形成欧姆接触。本发明优化了器件的工艺流程,简化了碳化硅平面栅MOSFET的制作工艺步骤,减少了碳化硅平面栅MOSFET的工艺时间和生产成本,并且分别在n+区域和p+区域实现了不同金属的欧姆接触。 3、截至挂牌日，专利已取得专利证书。 4、其他重要事项详见评估报告。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 市场前景分析 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 与同类成果相比优势分析 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 专利明细 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 序号 | 名称 | 申请号 | 类别 | 申请日 | 授权日 |
| 1 | 一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管及其制备方法 | 202410088983.2 | 发明 | 2024-01-23 | 2024-09-17 |
| 2 | 一种碳化硅平面栅功率MOSFET及制作方法 | 202410979268.8 | 发明 | 2024-07-22 | 2024-09-27 |
| 3 | 一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法 | 202410619712.5 | 发明 | 2024-05-20 | 2024-08-20 |
| 4 | 一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法 | 202410571402.0 | 发明 | 2024-05-10 | 2024-08-06 |
| 5 | 一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法 | 202410584864.6 | 发明 | 2024-05-13 | 2024-08-06 |
| 专利是否合并转让 | 是 | ||||
| 获得资助情况（国家计划课题等） | -- | ||
| 项目开发阶段 | -- | ||
| 样品情况 | 无 | 样品类型 | -- |
| 信息有效期 | -- 至 -- | ||
三、披露信息
| 价款支付方式 | 银行转账 | ||
| 受让方资格条件 | 1、意向受让方须为依法设立的企业法人、其他经济组织或具有完全民事行为能力的自然人。 2、意向受让方须具有良好财务状况、支付能力。 3、本项目不接受联合体受让。 |
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| 重大事项及其他披露内容 | 1、转让标的整体受让，不可拆分。 2、本标的包含5项专利，各专利介绍如下： 一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法 专利申请日：2024年05月13日 授权公告日：2024年08月06日 专利权期限：20年 介绍： 本发明公开了一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法,其涉及器件设计技术领域。包括:4H SiC衬底层的上表面沉积所述N型SiC外延层,所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积P型SiC外延层;所述P型SiC外延层包括:SiO 一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管及其制备方法 专利申请日：2024年01月23日 授权公告日：2024年09月17日 专利权期限：20年 介绍：本发明属于微电子技术领域,具体涉及一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管及其制备方法。高击穿电压碳化硅肖特基二极管包括由下至上依次设置的第一金属Ni电极、SiC衬底、n<supgt;+</supgt; SiC缓冲层、n SiC层和p GaN帽层,所述p GaN帽层贯穿设有凹槽,所述凹槽的下部位于所述n SiC层,所述凹槽内设置与所述n SiC层顶部和所述p GaN帽层顶部相接的金属Ti电极,所述金属Ti电极上设置第二金属Ni电极,所述n SiC层、p GaN帽层、金属Ti电极和第二金属Ni电极的顶部设置具有开孔的SiO<subgt;2</subgt;钝化层。本发明使用p型掺杂GaN与n SiC形成异质结,无需增厚n SiC即可提高碳化硅肖特基二极管的击穿电压,并具有高可靠性和低成本的优势。 一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利申请日：2024年05月20日 授权公告日：2024年08月20日 专利权期限：20年 介绍：本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法,其涉及功率器件设计技术领域。包括:4H SiC衬底层的上方依次沉积N型SiC外延层和P型SiC外延层;所述N型SiC外延层具有漂移层和缓冲层,且所述漂移层沉积于所述缓冲层的上方,所述漂移层上表面的一侧为N级台阶结构;所述P型SiC外延层包括P型梯形岛和SiO<subgt;2</subgt;保护层,所述P型梯形岛沉积于所述SiO<subgt;2</subgt;保护层内,且所述SiO<subgt;2</subgt;保护层与所述N级台阶结构耦合;所述漂移层上表面的另一侧沉积阳极,所述P型梯形岛与所述阳极连接;所述4H SiC衬底层的下方沉积阴极。本发明优化了P型梯形岛两侧附近的强电场分布情况,提升碳化硅肖特基二极管反向工作的稳定性。 一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法 专利申请日：2024年05月10日 授权公告日：2024年08月06日 专利权期限：20年 介绍：本发明公开了一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法,其涉及器件设计技术领域。包括:所述4H SiC衬底层的上表面沉积所述N型SiC外延层,所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积P型SiC外延层;所述P型SiC外延层包括:SiO 一种碳化硅平面栅功率MOSFET及制作方法 专利申请日：2024年07月22日 授权公告日：2024年09月27日 专利权期限：20年 介绍：本发明提供一种碳化硅平面栅功率MOSFET及制作方法,属于功率半导体技术领域,该器件拥有p+区域与n+区域不同的金属形成的欧姆接触,使用间隔物薄介质层实现n+源区的沟道自对准,保证了器件的可靠性,并减小沟道区域的电阻,进而减小器件整体的比导通电阻。该工艺过程中首先进行p+区域的离子注入,使用金属层阻挡之后的n+区域氮离子注入p+区域,该金属层最终随着碳化硅晶圆注入后的热退火,同时在p+区域形成欧姆接触。本发明优化了器件的工艺流程,简化了碳化硅平面栅MOSFET的制作工艺步骤,减少了碳化硅平面栅MOSFET的工艺时间和生产成本,并且分别在n+区域和p+区域实现了不同金属的欧姆接触。 3、截至挂牌日，专利已取得专利证书。 4、其他重要事项详见评估报告。 |
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| 与转让相关的其他条件 | 1、意向受让方须承诺，在递交受让申请并交纳交易保证金后，即表明理解并接受本次资产转让的所有内容及程序，完全了解与认可转让标的状况以及存在的瑕疵等一切内容，并自行承担受让转让标的所带来的一切风险和后果；成为最终受让方后不得以不了解转让标的为由退还转让标的，否则将视为违约；非因转让方原因所引发的风险因素，由受让方自行承担。 2、意向受让方须承诺，在收到《挂牌结果通知单》之日起5个工作日内与转让方签署《技术转让合同》，并于签订《技术转让合同》之日起5个工作日内支付应付交易价款至转让方指定账户（交易价款无息结算），交易费用支付至中心指定账户（如本项目公告对以上办理时间有不同约定的，从其约定）。协议成交不收取交易费用，若产生竞价，收取竞价佣金。 |
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